AO4566 与 BSO110N03MS G 区别
| 型号 | AO4566 | BSO110N03MS G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4566 | A-BSO110N03MS G |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 31 | - |
| 宽度 | - | 3.9mm |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 17mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 20nC |
| Qgd(nC) | 1.7 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 16S |
| Td(on)(ns) | 4 | - |
| 封装/外壳 | SO-8 | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 12A | 12.1A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | 542 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 4.9mm |
| 下降时间 | - | 4.4ns |
| Schottky Diode | No | - |
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ@10V | 11mΩ@12.1A,10V |
| 高度 | - | 1.75mm |
| Trr(ns) | 9.7 | - |
| Td(off)(ns) | 18 | - |
| 功率耗散Pd | 2.5W | 2.5W |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Qrr(nC) | 11.5 | - |
| VGS(th) | 2.3 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 9.5ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS3M |
| 典型接通延迟时间 | - | 7.8ns |
| Coss(pF) | 233 | - |
| Qg*(nC) | 4.3 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4566 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
¥0.8235
|
0 | 对比 | ||||
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IRF7821TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 9.1mΩ@13A,10V N-Channel 30V 13.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF8721GTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 14A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8.5mΩ@14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF8714TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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BSO110N03MS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 12.1A 11mΩ@12.1A,10V ±20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C SOIC-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |